Моделирование 3D наносхемотехники
Трубочкина Н. К.
В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным
компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10–20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник.
компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10–20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник.
Lingua:
russian
ISBN 10:
5996302918
ISBN 13:
9785996302918
File:
PDF, 27.39 MB
IPFS:
,
russian0
Litres
Vuole aggiungere una libreria? Contattaci su support@z-lib.do
Converti i file
Più risultati di ricerca
Altri vantaggi 
